삼성반도체 대규모 생산기지 건설

삼성전자는가 세계 최고의 반도체 회사로 도약키 위해 화성군 태안읍 발월리에 30만평 구모의 대규모 반도체 생산기지 건설에 착수하는 등 반도체 전 분야에 걸쳐 공격적 투자에 나섰다.

이에따라 삼성전자는 기존 40만평의 기흥 반도체 복합단지에 추가로 30만평 규모의 대규모 제2 반도체 생산기지를 확보하게 됨에 따라 메모리반도체 세계1위에 이어 비메모리(시스템 LSI) 반도체 분야에서도 세계적인 경쟁력을 갖출 수 있게 됐다.

삼성전자는 16일 이윤수사장 등이 참석한 가운데 2단지 첫단계로 128M, 256M 및 램버스 등 차세대 반도체를 중점 생산하게 될 10라인에 대한 상량식을 갖고 D램을 비롯 메모리제품 세계 1위 유지 및 종합반도체 업체로 도약키 위한 전략을 발표했다.

삼성전자는 18억달러를 투자, 2000년말까지 128메가와 256메가, 램버스 D램 등 차세대 반도체를 양산할 제 10라인을 갖추기로 했다.

내년 9월 차세대 반도체 생산을 시작하게 될 제 10라인 설비공사를 완료하는 것을 시작으로 제 2반도체 생산 기지내에 모두 8개 라인을 건설할 계획이다.

제 10라인은 반도체 회로선 폭이 세계에서 가장 정밀한 0.15㎛(1/100만m) 공정설비로 월 3만2천매의 8인치 웨이퍼를 가공할 수있는 공장으로 건설한다는 계획이다.

삼성전자 이윤우 사장은 “경쟁사보다 6개월∼1년 앞선 반도체개발력을 유지하고 1년이내에 0.12㎛ 초미세 가공기술과 2001년 0.10㎛급 기술을 개발할 계획”이라며 “10라인을 통해 D램 및 S램 분야 세계 1위 자리를 차지하게 될 것”이라고 밝혔다.

또한 비메모리 분야에 2002년까지 1조3천억원을 투자, 2005년까지 매출 40억달러로 끌어올린다는 계획이다.

제2반도체 생산 기지 라인 증설이 이뤄지면 2005년까지 최대 1만명의 신규 고용효과가 기대된다.

한편 올해 반도체 부문 매출이 93억달러에 이를 것으로 예상하고 있으며 이중 메모리부문이 60억달러, 액정표시장치가 22억달러, 비메모리가 11억달러를 각각 차지하게 될 것으로 보고 있다.

/강인묵기자 imkang@kgib.co.kr 정근호기자 ghjung@kgib.co.kr

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