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삼성전자 288M 초고속 D램 양산

승인 2000-01-04 00:00
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삼성전자는 차세대 고속 메모리 반도체중 하나인 288M 초고속 램버스 D램 양산에 나서게 됐다고 3일 밝혔다.

288M 램버스 D램은 머리카락 두께(100㎛)의 약 600만분의 1에 해당하는 회로선 폭 0.17㎛의 초미세 공정 기술을 적용, 램버스 D램의 최고 집적도를 실현한 것으로 1초에 200자 원고지 25만장 분량의 데이터를 전송할 수 있는 초고속 반도체다.

이번 램버스 D램은 고성능 PC와 워크스테이션, 서버 등에 주로 사용되며 단품 단위로 용량을 증가시킬 수 있는 특징을 가지고 있어 적은 수의 단품을 사용해 높은 성능을 유지해야 하는 휴대용 정보통신기기나 게임기 등의 제품에 점차 확대 적용되고 있다.

램버스 D램은 올해 D램 시장 전체의 약 15%인 30억달러 규모의 시장을 형성하고 2001년 135억달러, 2002년에는 D램 시장의 50%까지 점유할 것으로 예상되고 있다.

삼성전자 한 관계자는 “이달부터 월 200만개의 램버스 D램을 생산, 차세대 메모리 시장 선점과 메모리 반도체의 세대교체를 앞당길 계획”이라고 말했다.

/용인=강한수기자 hskang＠kgib.co.kr

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